PHP18NQ10T,127

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Spezifikation

Artikelnummer

PHP18NQ10T,127
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHP18NQ10T,127.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

1727-4637
568-5754
568-5754-5
568-5754-5-ND
568-5754-ND
934055698127
PHP18NQ10T
PHP18NQ10T,127-ND
PHP18NQ10T-ND
PHP18NQ10T127
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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2024/10/9

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Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB

Hersteller: Nexperia

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