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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > PIMZ2,125

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PIMZ2,125-Bild.

Nexperia

PIMZ2,125

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Spezifikation

Artikelnummer

PIMZ2,125
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PIMZ2,125.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

934057906125
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz, 190MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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