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PMV130ENEA/DG/B2R

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Spezifikation

Artikelnummer

PMV130ENEA/DG/B2R
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMV130ENEA/DG/B2R.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

5W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934068781215
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 2.1A (Ta) 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.1A (Ta)

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Hersteller: Panduit

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Hersteller: Panduit

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Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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PMV117EN,215

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Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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PMV1-6FB-CY

PMV1-6FB-CY

Beschreibung: CONN SPADE TERM 18-22AWG M6 RED

Hersteller: Panduit

vorrätig

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