PSMN006-20K,518

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN006-20K,518
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN006-20K,518.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

8.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

934057032518
PSMN006-20K /T3
PSMN006-20K /T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 2.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 32A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN006-20K,518" -Einziper.

PSMN005-75P,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

Hersteller: Nexperia

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