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FM6K62010L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FM6K62010L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 2A SC113DA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FM6K62010L.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    WSMini6-F1-B
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 1A, 4V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Isolated)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount WSMini6-F1-B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "FM6K62010L" -Einziper.
IRFR540ZTRRPBF

IRFR540ZTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF840LCSTRL

IRF840LCSTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTQ96N15P

IXTQ96N15P

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SPB21N10

SPB21N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SPD06N80C3ATMA1

SPD06N80C3ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFS17N20DTRR

IRFS17N20DTRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
PSMN4R2-60PLQ

PSMN4R2-60PLQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 130A TO-220

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
JANSF2N7383

JANSF2N7383

Beschreibung: P CHANNEL MOSFET TO-257

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FQP15P12

FQP15P12

Beschreibung: MOSFET P-CH 120V 15A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FM6L52020L

FM6L52020L

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F1

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
FQPF20N06L

FQPF20N06L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTM50DAM38CTG

APTM50DAM38CTG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CPH3356-TL-H

CPH3356-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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