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200405UNR31A4G0L-Bild.Panasonic

UNR31A4G0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR31A4G0L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UNR31A4G0L.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSSMini3-F1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    UNR31A4G0LDKR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    80MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    80mA

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UNR31A9G0L

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UNR31A5G0L

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UNR31A6G0L

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UNR31A600L

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