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UNR32AMG0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR32AMG0L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UNR32AMG0L.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSSMini3-F1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    UNR32AMG0LCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    80mA

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UNR32AAG0L

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UNR32AM00L

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UNR32A600L

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UNR32AB00L

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UNR41160RA

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UNR32A700L

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UNR411300A

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