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47240652SK1341-E-Bild.Renesas Electronics America

2SK1341-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK1341-E
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SK1341-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    100W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    900V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 900V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Ta)

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Das Folgende sind "2SK1341-E" -Einziper.
2SK137400L

2SK137400L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK1342-E

2SK1342-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK122800L

2SK122800L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK066500L

2SK066500L

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK1340-E

2SK1340-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK1339-E

2SK1339-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK1119(F)

2SK1119(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK1859-E

2SK1859-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK11030QL

2SK11030QL

Beschreibung: JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK1518-E

2SK1518-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK1317-E

2SK1317-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK1374G0L

2SK1374G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK1058-E

2SK1058-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK1445LS-V-1EX

2SK1445LS-V-1EX

Beschreibung: TRANSISTER

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK1828TE85LF

2SK1828TE85LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK1835-E

2SK1835-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK0664G0L

2SK0664G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK1829TE85LF

2SK1829TE85LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK1775-E

2SK1775-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK0665G0L

2SK0665G0L

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
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