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HAT2096H-EL-E-Bild.

Renesas Electronics America

HAT2096H-EL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

HAT2096H-EL-E
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

HAT2096H-EL-E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

20W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 40A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

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HAT1090C-EL-E

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Hersteller: Renesas Electronics America

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HAT1072HWS-E

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Beschreibung: MICROCONTROLLER

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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