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NP20P06SLG-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP20P06SLG-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP20P06SLG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252 (MP-3ZK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta), 38W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 20A (Tc) 1.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Tc)

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Das Folgende sind "NP20P06SLG-E1-AY" -Einziper.
NP22N055SHE-E1-AY

NP22N055SHE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP2100SCMCT3G

NP2100SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2300SBMCT3G

NP2300SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2100SBT3G

NP2100SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2300SCMCT3G

NP2300SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2100SAT3G

NP2100SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2300SCT3G

NP2300SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP22N055SLE-E1-AY

NP22N055SLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP2600SAMCT3G

NP2600SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 220V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP22N055SLE-E1-AZ

NP22N055SLE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP2300SAT3G

NP2300SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2300SAMCT3G

NP2300SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2300SBT3G

NP2300SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 190V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2100SCT3G

NP2100SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP22N055SLE(1)-E1-AY

NP22N055SLE(1)-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP23N06YDG-E1-AY

NP23N06YDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP2100SAMCT3G

NP2100SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP2100SBMCT3G

NP2100SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 180V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP22N055SLE-E2-AY

NP22N055SLE-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP20P04SLG-E1-AY

NP20P04SLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 20A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
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