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618581

NP33N06YDG-E1-AY-Bild.

Renesas Electronics America

NP33N06YDG-E1-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP33N06YDG-E1-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP33N06YDG-E1-AY.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HSON
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 97W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Andere Namen

NP33N06YDG-E1-AY-ND
NP33N06YDG-E1-AYTR
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 33A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

33A (Tc)

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NP3500SCG

Beschreibung: THYRISTOR 320V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SC1T3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP34N055SLE-E1-AY

NP34N055SLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 34A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP3500SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SEMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP33N075YDF-E1-AY

NP33N075YDF-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP32N055SDE-E1-AZ

NP32N055SDE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP3500SB1T3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP32N055SLE-E1-AY

NP32N055SLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP3500SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3500SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3500SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3500SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP32N055SLE-E1-AZ

NP32N055SLE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP3100SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP3100SDMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 200A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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