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NP40N10YDF-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP40N10YDF-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP40N10YDF-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HSON
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta), 120W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerLDFN
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3150pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    40A (Tc)

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Das Folgende sind "NP40N10YDF-E1-AY" -Einziper.
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NP48N055ZHE(1)W-U

NP48N055ZHE(1)W-U

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
BS107P

BS107P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NP40N10VDF-E1-AY

NP40N10VDF-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
CSD18533Q5A

CSD18533Q5A

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
SI5432DC-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NP48N055KLE-E1-AY

NP48N055KLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 48A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
TSM070NA04LCR RLG

TSM070NA04LCR RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IRF3717

IRF3717

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BUK7Y19-100EX

BUK7Y19-100EX

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NP4-12

NP4-12

Beschreibung: BATTERY LEAD ACID 12V 4AH

Hersteller: EnerSys
vorrätig
RFQ
NP48N055KHE-E1-AY

NP48N055KHE-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP48N055ZLE(1)W-U

NP48N055ZLE(1)W-U

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NP40N10VDF-E2-AY

NP40N10VDF-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP40N10PDF-E1-AY

NP40N10PDF-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
FCH041N65F-F085

FCH041N65F-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP40N055KHE-E1-AY

NP40N055KHE-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
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