NP52N06SLG-E1-AY

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2500+

$0.63

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Spezifikation

Artikelnummer

NP52N06SLG-E1-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP52N06SLG-E1-AY.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

2100pF @ 10V
Spannung - Durchschlag

TO-252 (MP-3ZK)
VGS (th) (Max) @ Id

17.5 mOhm @ 26A, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
RoHS Status

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52A (Tc)
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NP52N06SLG-E1-AY-ND
NP52N06SLG-E1-AYTR
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Hersteller-Teilenummer

NP52N06SLG-E1-AY
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

39nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60V
Kapazitätsverhältnis

1.2W (Ta), 56W (Tc)

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Das Folgende sind "NP52N06SLG-E1-AY" -Einziper.

NP5Q128AE3ESFC0E

Beschreibung: IC PCM 128M SPI 33MHZ 16SO W

Hersteller: Micron Technology