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926496NP60N04KUG-E1-AY-Bild.Renesas Electronics America

NP60N04KUG-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP60N04KUG-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP60N04KUG-E1-AY.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta), 88W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5100pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    60A (Tc)

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Das Folgende sind "NP60N04KUG-E1-AY" -Einziper.
NP60N04MUG-S18-AY

NP60N04MUG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N04VUK-E1-AY

NP60N04VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N055KUG-E1-AY

NP60N055KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 60A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N04MUK-S18-AY

NP60N04MUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N03SUG-E1-AY

NP60N03SUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N03SUG(1)-E1-AY

NP60N03SUG(1)-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N055VUK-E1-AY

NP60N055VUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 60A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IPI60R600CPAKSA1

IPI60R600CPAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BUK7C10-75AITE,118

BUK7C10-75AITE,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
ZVP2120A

ZVP2120A

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NP60N055NUK-S18-AY

NP60N055NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 60A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP60N055MUK-S18-AY

NP60N055MUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 60A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IRF6623TR1PBF

IRF6623TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFU110PBF

IRFU110PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AOD518_050

AOD518_050

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NP60N04NUK-S18-AY

NP60N04NUK-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IPP029N06NAKSA1

IPP029N06NAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NP60N03KUG-E1-AY

NP60N03KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IRF6775MTR1PBF

IRF6775MTR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STP32NM50N

STP32NM50N

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 22A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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