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2383704R1LP0108ESF-5SI#S0-Bild.Renesas Electronics America

R1LP0108ESF-5SI#S0

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R1LP0108ESF-5SI#S0
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R1LP0108ESF-5SI#S0.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-TSOP (8x20)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
  • Basisteilenummer
    R1LP0108E
  • Zugriffszeit
    55ns

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Hersteller: Renesas Electronics America
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R1LP0408DSP-7SR#B0

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Hersteller: Renesas Electronics America
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Beschreibung: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

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