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2603151R1LV0216BSB-5SI#S1-Bild.Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#S1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R1LV0216BSB-5SI#S1
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R1LV0216BSB-5SI#S1.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    R1LV0216BSB-5SI#S1-ND
    R1LV0216BSB-5SI#S1TR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (128K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    55ns

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Renesas Electronics America
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
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R1LV0208BSA-5SI#B1

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP

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