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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RJU4351TDPP-EJ#T2
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RJU4351TDPP-EJ#T2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RJU4351TDPP-EJ#T2
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RJU4351TDPP-EJ#T2.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.9V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    430V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FP-2L
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 430V 10A Through Hole TO-220FP-2L
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 430V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU002N06T106

RJU002N06T106

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RJU60C3SDPD-E0#J2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Hersteller: Renesas Electronics America
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