UPA2630T1R-E2-AX

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Spezifikation

Artikelnummer

UPA2630T1R-E2-AX
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 7A 6SON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

UPA2630T1R-E2-AX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-HUSON (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 3.5A, 1.8V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-PowerWDFN
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Das Folgende sind "UPA2630T1R-E2-AX" -Einziper.

UPA2690T1R-E2-AX

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON

Hersteller: Renesas Electronics America