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Zuhause > Produkte > Widerstände > Durch Loch-Widerstände > MT4-0R01F1
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MT4-0R01F1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT4-0R01F1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RES 0.01 OHM 4.5W 1% AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Toleranz
    ±1%
  • Temperaturkoeffizient
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Größe / Dimension
    0.252" Dia x 0.752" L (6.40mm x 19.10mm)
  • Serie
    MT
  • Widerstand
    10 mOhms
  • Leistung (W)
    4.5W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur
    -
  • Anzahl der Anschlüsse
    2
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Höhe - eingesteckt (max)
    -
  • Eigenschaften
    Current Sense, Moisture Resistant
  • Fehlerrate
    -
  • detaillierte Beschreibung
    10 mOhms ±1% 4.5W Through Hole Resistor Axial Current Sense, Moisture Resistant Thick Film
  • Zusammensetzung
    Thick Film
MT40A1G16WBU-075E:B

MT40A1G16WBU-075E:B

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT4-0R05F1

MT4-0R05F1

Beschreibung: RES 0.05 OHM 4.5W 1% AXIAL

Hersteller: Riedon
vorrätig
MT4-0R07F1

MT4-0R07F1

Beschreibung: RES 0.07 OHM 4.5W 1% AXIAL

Hersteller: Riedon
vorrätig
MT40A1G16HBA-083E:A

MT40A1G16HBA-083E:A

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G4RH-083E:B

MT40A1G4RH-083E:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G16WBU-083E:B

MT40A1G16WBU-083E:B

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G8SA-062E IT:E TR

MT40A1G8SA-062E IT:E TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G8SA-062E IT:E

MT40A1G8SA-062E IT:E

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G4RH-075E:B

MT40A1G4RH-075E:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G8PM-083E:A TR

MT40A1G8PM-083E:A TR

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G4HX-093E:A

MT40A1G4HX-093E:A

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT4-0R1F1

MT4-0R1F1

Beschreibung: RES 0.1 OHM 4.5W 1% AXIAL

Hersteller: Riedon
vorrätig
MT40A1G8PM-083E:A

MT40A1G8PM-083E:A

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G16WBU-075E:B TR

MT40A1G16WBU-075E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A1G16HBA-083E:A TR

MT40A1G16HBA-083E:A TR

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A1G8SA-062E:E

MT40A1G8SA-062E:E

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT4-0R03F1

MT4-0R03F1

Beschreibung: RES 0.03 OHM 4.5W 1% AXIAL

Hersteller: Riedon
vorrätig
MT40A1G16WBU-083E:B TR

MT40A1G16WBU-083E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A1G4RH-075E:B TR

MT40A1G4RH-075E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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