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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > A2P75S12M3
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5462185A2P75S12M3-Bild.STMicroelectronics

A2P75S12M3

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14+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    A2P75S12M3
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 75A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ACEPACK™ 2
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    454.5W
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    497-17744
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    4700pF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 75A 454.5W Chassis Mount ACEPACK™ 2
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    75A
  • Konfiguration
    Three Phase Inverter

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "A2P75S12M3" -Einziper.
A2PMA1X03EC56

A2PMA1X03EC56

Beschreibung: SWITCH PUSH DPST 16A 250V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
F450R12KS4BOSA1

F450R12KS4BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 650V 50A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
MUBW30-06A7

MUBW30-06A7

Beschreibung: MODULE IGBT CBI E2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FS900R08A2P2B31BOSA1

FS900R08A2P2B31BOSA1

Beschreibung: MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
A2P75S12M3-F

A2P75S12M3-F

Beschreibung: IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U

Beschreibung: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-GB100TS60NPBF

VS-GB100TS60NPBF

Beschreibung: IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
A2P1HV

A2P1HV

Beschreibung: CAP TRIMMER 0.3-1.2PF 250V SMD

Hersteller: Knowles Voltronics
vorrätig
RFQ
A1C15S12M3

A1C15S12M3

Beschreibung: IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
A2P250-1QNG132T

A2P250-1QNG132T

Beschreibung: IC FPGA 250K GATES 132-QFN

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGF250SK60D3G

APTGF250SK60D3G

Beschreibung: IGBT 600V 400A 1250W D3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
A2P1

A2P1

Beschreibung: CAP TRIMMER MINI 0.3-1.2PF 250V

Hersteller: Knowles Voltronics
vorrätig
RFQ
A2P250-QNG132T

A2P250-QNG132T

Beschreibung: IC FPGA 250K GATES 132-QFN

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VKI50-12P1

VKI50-12P1

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V ECO-PAC2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
APT200GN60J

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT225A170G

APTGT225A170G

Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50TDU170PG

APTGT50TDU170PG

Beschreibung: IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
A2PMA1X03EC88

A2PMA1X03EC88

Beschreibung: SWITCH PUSH DPST 16A 250V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
QID1210005

QID1210005

Beschreibung: MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
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