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M59DR032EA10ZB6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M59DR032EA10ZB6
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    M59DR032EA10ZB6.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100ns
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 2.2 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TFBGA (7x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-LFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    32Mb (2M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 100ns 48-TFBGA (7x12)
  • Basisteilenummer
    M59DR032E
  • Zugriffszeit
    100ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "M59DR032EA10ZB6" -Einziper.
M59DR032EA10ZB6T

M59DR032EA10ZB6T

Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D

MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D

Beschreibung: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IS64WV5128BLL-10CTLA3

IS64WV5128BLL-10CTLA3

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
NM93C13M8

NM93C13M8

Beschreibung: IC EEPROM 256 SPI 1MHZ 8SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AS4C128M16D2-25BINTR

AS4C128M16D2-25BINTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
STK14CA8-NF35

STK14CA8-NF35

Beschreibung: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32SOIC

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
AT26DF081A-SSU

AT26DF081A-SSU

Beschreibung: IC FLASH 8M SPI 70MHZ 8SOIC

Hersteller: Adesto Technologies
vorrätig
RFQ
AT27C080-90JI

AT27C080-90JI

Beschreibung: IC EPROM 8M PARALLEL 32PLCC

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
AS7C1026B-20TCN

AS7C1026B-20TCN

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

Beschreibung: ALL IN ONE MCP 280G

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
IS43TR82560C-15HBLI-TR

IS43TR82560C-15HBLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
71V432S6PFGI8

71V432S6PFGI8

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
CY7C1461AV33-133AXCT

CY7C1461AV33-133AXCT

Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
MT41K512M8RG-107:N TR

MT41K512M8RG-107:N TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
CY7C1480BV33-167AXC

CY7C1480BV33-167AXC

Beschreibung: IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
M29W128GL90N6E

M29W128GL90N6E

Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
7005L15PFI

7005L15PFI

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
IS45S32800D-6BLA1

IS45S32800D-6BLA1

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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