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881765M95512-DRMN8TP/K-Bild.STMicroelectronics

M95512-DRMN8TP/K

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  • Artikelnummer
    M95512-DRMN8TP/K
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    M95512-DRMN8TP/K.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    4ms
  • Spannungsversorgung
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    EEPROM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    497-16048-2
    M95512-DRMN8TP/K-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Kb (64K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    EEPROM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 16MHz 8-SO
  • Uhrfrequenz
    16MHz

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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M95512-DWDW4TP/K

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M95512-RDW6P

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M95512-RMN6TP

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO

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M95512-DRDW8TP/K

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8TSSOP

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M95512-DFMN6TP

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO

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M95512-DRMN6TP

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO

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M95512-RDW6TP

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8TSSOP

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M95512-RCS6TP/K

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8WLCSP

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8MLP

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M95512-DRMB6TG

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8MLP

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M95512-WMN6P

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO

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M95512-RMN6P

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M95512-WDW6TP

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M95512-RMB6TG

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Beschreibung: IC EEPROM 512K SPI 8UFDFPN

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