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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > MJ802
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1737820MJ802-Bild.STMicroelectronics

MJ802

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MJ802
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 90V 30A TO-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    90V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 750mA, 7.5A
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    200W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-204AA, TO-3
  • Andere Namen
    497-6713
    MJ802ST-ND
  • Betriebstemperatur
    200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    2MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 30A 2MHz 200W Chassis Mount TO-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    25 @ 7.5A, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    30A
  • Basisteilenummer
    MJ802
MJ8062FE-R52

MJ8062FE-R52

Beschreibung: RES 80.6K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
MJ82R5FE-R52

MJ82R5FE-R52

Beschreibung: RES 82.5 OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
2N4124

2N4124

Beschreibung: TRANS NPN 25V TO-92

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
MJ8061FE-R52

MJ8061FE-R52

Beschreibung: RES 8.06K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
MPS8098_D75Z

MPS8098_D75Z

Beschreibung: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJ8252FE-R52

MJ8252FE-R52

Beschreibung: RES 82.5K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
CZT3906 TR

CZT3906 TR

Beschreibung: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
MJ8661FE-R52

MJ8661FE-R52

Beschreibung: RES 8.66K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
2SA1930,CKQ(J

2SA1930,CKQ(J

Beschreibung: TRANS PNP 2A 180V TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
MMBT5962

MMBT5962

Beschreibung: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBTA14LT1G

SMMBTA14LT1G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJ8250FE-R52

MJ8250FE-R52

Beschreibung: RES 825 OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
MJ8251FE-R52

MJ8251FE-R52

Beschreibung: RES 8.25K OHM 1/8W 1% AXIAL

Hersteller: Ohmite
vorrätig
BSP61H6327XTSA1

BSP61H6327XTSA1

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
2SC2235-O(T6ASN,FM

2SC2235-O(T6ASN,FM

Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BD535J

BD535J

Beschreibung: TRANS NPN 60V 8A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BCP53-16,135

BCP53-16,135

Beschreibung: TRANS PNP 80V 1A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
MPS2222G

MPS2222G

Beschreibung: TRANS NPN 30V 0.6A TO92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJ802G

MJ802G

Beschreibung: TRANS NPN 90V 30A TO3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
KSP42TA

KSP42TA

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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