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3632712NAND512R3A2BZA6E-Bild.STMicroelectronics

NAND512R3A2BZA6E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NAND512R3A2BZA6E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-VFBGA (8.5x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15)
  • Basisteilenummer
    NAND512
  • Zugriffszeit
    60ns
NAND512W3A0AN6

NAND512W3A0AN6

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
NAND512R3A2SE06

NAND512R3A2SE06

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2SZA6E

NAND512R3A2SZA6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2SZA6F

NAND512R3A2SZA6F

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND32GW3F4AN6E

NAND32GW3F4AN6E

Beschreibung: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND256W3A2BZA6E

NAND256W3A2BZA6E

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND256W3A2BZA6F TR

NAND256W3A2BZA6F TR

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2SN6E

NAND512R3A2SN6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND256W4A0AN6E

NAND256W4A0AN6E

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
NAND512R3A2DZA6E

NAND512R3A2DZA6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A3AZA6E

NAND512R3A3AZA6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
NAND512R3A2SZAXE

NAND512R3A2SZAXE

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2AZA6E

NAND512R3A2AZA6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
NAND256W3A2BZAXE

NAND256W3A2BZAXE

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2CZA6E

NAND512R3A2CZA6E

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND256W3A2BN6F TR

NAND256W3A2BN6F TR

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND512R3A2SN6F

NAND512R3A2SN6F

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND32GW3F2DDI6P TR

NAND32GW3F2DDI6P TR

Beschreibung: SLC NAND

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND256W3A2BNXE

NAND256W3A2BNXE

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
NAND32GW3F2DDI6P

NAND32GW3F2DDI6P

Beschreibung: SLC NAND

Hersteller: Micron Technology
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