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2093552NAND512W3A2BN6E-Bild.STMicroelectronics

NAND512W3A2BN6E

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  • Artikelnummer
    NAND512W3A2BN6E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    50ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    497-5040
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    NAND512
  • Zugriffszeit
    50ns
NAND512W3A0AN6

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: STMicroelectronics
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NAND512W3A2CN6E

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NAND512W3A2SN6E

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Hersteller: Micron Technology
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NAND512R3A2SE06

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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NAND512W3A2SN6F TR

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NAND512R3A3AZA6E

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NAND512W3A2DZA6E

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NAND512W3A2BZA6E

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Hersteller: STMicroelectronics
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NAND512R3A2SZAXE

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NAND512R3A2SZA6F

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NAND512W3A0AV6E

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48WSOP

Hersteller: STMicroelectronics
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NAND512W3A2BN6F

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512R3A2SN6E

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512R3A2SZA6E

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NAND512R3A2SN6F

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NAND512W3A2SE06

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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NAND512W3A2CZA6E

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NAND512W3A2SNXE

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NAND512W3A2DN6E

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