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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > RBO08-40G
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5256402RBO08-40G-Bild.STMicroelectronics

RBO08-40G

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vorrätig
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$2.60
50+
$2.205
100+
$1.879
500+
$1.544
1000+
$1.279
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RBO08-40G
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 20V 40V D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RBO08-40G.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    20V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    40V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    24V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    RBO
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-6722-5
    RBO08-40G-ND
    RBO0840G
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    15A, 37.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Basisteilenummer
    RBO08-40
  • Anwendungen
    General Purpose

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RBO08-40G" -Einziper.
P4KE220CA B0G

P4KE220CA B0G

Beschreibung: TVS DIODE 185V 328V DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MXLP6KE200AE3

MXLP6KE200AE3

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RBO40-40T

RBO40-40T

Beschreibung: TVS DIODE 20V 40V TO220AB

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RBO08-40T

RBO08-40T

Beschreibung: TVS DIODE 20V 40V TO220AB

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
P4SMA20CAHE3/5A

P4SMA20CAHE3/5A

Beschreibung: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51AE3

MXSMLJ51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1.5KE22CA-B

1.5KE22CA-B

Beschreibung: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC AXIAL

Hersteller: Littelfuse Inc.
vorrätig
RFQ
SMCG100CA-HRA

SMCG100CA-HRA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO215AB

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
PTVS10-066C-M

PTVS10-066C-M

Beschreibung: TVS DIODE 120VC 10KA IPP SMD

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
MA1.5KE130CA

MA1.5KE130CA

Beschreibung: TVS DIODE 111VWM 179VC DO204AR

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
RBO40-40G-TR

RBO40-40G-TR

Beschreibung: TVS DIODE 20V 40V D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
P4KE18CAHB0G

P4KE18CAHB0G

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.5V DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DF5A6.8LJE,LM(T

DF5A6.8LJE,LM(T

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MXP6KE51A

MXP6KE51A

Beschreibung: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
RBO40-40G

RBO40-40G

Beschreibung: TVS DIODE 20V 40V D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SMAJ400CAE3/TR13

SMAJ400CAE3/TR13

Beschreibung: TVS DIODE 400V DO214AC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1.5KE120CA

1.5KE120CA

Beschreibung: TVS DIODE 102V 212V DO201

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
1N6043A

1N6043A

Beschreibung: TVS DIODE 12VWM 21.2VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
SMCJ22CAHR7G

SMCJ22CAHR7G

Beschreibung: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MSMLJ24CA

MSMLJ24CA

Beschreibung: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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