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STB9NK90Z-Bild.

STMicroelectronics

STB9NK90Z

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Spezifikation

Artikelnummer

STB9NK90Z
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB9NK90Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 3.6A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

497-7955-1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 8A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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