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5210161STD11N60M2-EP-Bild.STMicroelectronics

STD11N60M2-EP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STD11N60M2-EP
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.STD11N60M2-EP.pdf
    2.STD11N60M2-EP.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.75V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    MDmesh™ M2-EP
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    595 mOhm @ 3.75A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    85W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    497-16936-1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    390pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.5A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "STD11N60M2-EP" -Einziper.
STD11NM60N

STD11NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
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STD10P6F6

STD10P6F6

Beschreibung: MOSFET P CH 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD10P10F6

STD10P10F6

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 10A

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11N60DM2

STD11N60DM2

Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD10NM65N

STD10NM65N

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11NM60N-1

STD11NM60N-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11N65M2

STD11N65M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD10PF06-1

STD10PF06-1

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD110N02RT4G-VF01

STD110N02RT4G-VF01

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD120N4LF6

STD120N4LF6

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD120N4F6

STD120N4F6

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11NM65N

STD11NM65N

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 11A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11NM50N

STD11NM50N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD12100TR

STD12100TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
STD11NM60ND

STD11NM60ND

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11N65M5

STD11N65M5

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 9A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD110NH02LT4

STD110NH02LT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD11N50M2

STD11N50M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD10PF06T4

STD10PF06T4

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STD110N8F6

STD110N8F6

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
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