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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > STD9N80K5

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STD9N80K5-Bild.

STMicroelectronics

STD9N80K5

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Spezifikation

Artikelnummer

STD9N80K5
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STD9N80K5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 7A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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Das Folgende sind "STD9N80K5" -Einziper.

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Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

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STD95P3LLH6AG

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