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STF24NM65N-Bild.

STMicroelectronics

STF24NM65N

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Spezifikation

Artikelnummer

STF24NM65N
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STF24NM65N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FP
Serie

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

497-11394-5
STF24NM65N-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 19A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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