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STF7N60DM2-Bild.

STMicroelectronics

STF7N60DM2

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Spezifikation

Artikelnummer

STF7N60DM2
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

STF7N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FP
Serie

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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Das Folgende sind "STF7N60DM2" -Einziper.

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