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1863060

STI18N65M5-Bild.

STMicroelectronics

STI18N65M5

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Spezifikation

Artikelnummer

STI18N65M5
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STI18N65M5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

497-13272-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Tc)

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Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK

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STI23NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

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STI18N60M2

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