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STP25NM50N-Bild.

STMicroelectronics

STP25NM50N

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Spezifikation

Artikelnummer

STP25NM50N
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-4672-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 22A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Tc)

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Hersteller: STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 19A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

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