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STP35N65M5-Bild.

STMicroelectronics

STP35N65M5

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Spezifikation

Artikelnummer

STP35N65M5
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STP35N65M5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-10080-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27A (Tc)

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