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STMicroelectronics

STP6NB90

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Spezifikation

Artikelnummer

STP6NB90
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STP6NB90.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

135W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-2786-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 5.8A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.8A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220

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STP6NK90ZFP

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