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STP9NK80Z-Bild.

STMicroelectronics

STP9NK80Z

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Spezifikation

Artikelnummer

STP9NK80Z
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STP9NK80Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Verlustleistung (max)

150W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-5133-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 7.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP

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Beschreibung: IC PWR AMP MOSF FLEXIWATT25 HORZ

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220

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STP9NK60ZD

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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