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5042573STQ2HNK60ZR-AP-Bild.STMicroelectronics

STQ2HNK60ZR-AP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STQ2HNK60ZR-AP
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    STQ2HNK60ZR-AP.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    SuperMESH™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 Ohm @ 1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Andere Namen
    497-12344-3
    STQ2HNK60ZRAP
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    500mA (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "STQ2HNK60ZR-AP" -Einziper.
STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ3N45K3-AP

STQ3N45K3-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQC1553-2

STQC1553-2

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQ1553-1

STQ1553-1

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQ2N62K3-AP

STQ2N62K3-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1553-2

STQ1553-2

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQC1553-5

STQC1553-5

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQ2NK60ZR-AP

STQ2NK60ZR-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK60ZR-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1HN60K3-AP

STQ1HN60K3-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQC1553-45

STQC1553-45

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQ2LN60K3-AP

STQ2LN60K3-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STQ1553-45

STQ1553-45

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED M PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQC1553-3

STQC1553-3

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQ1553-3

STQ1553-3

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
STQC1553-1

STQC1553-1

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
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STQ1553-5

STQ1553-5

Beschreibung: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC

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