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5980016

STS4NF100-Bild.

STMicroelectronics

STS4NF100

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Spezifikation

Artikelnummer

STS4NF100
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STS4NF100.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

497-8043-2
STS4NF100-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 4A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

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