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6280952STULED656-Bild.STMicroelectronics

STULED656

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  • Artikelnummer
    STULED656
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V IPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    70W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Andere Namen
    497-13981-5
    STULED656-ND
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    895pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Tc)
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