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3367746STV160NF02LAT4-Bild.STMicroelectronics

STV160NF02LAT4

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STV160NF02LAT4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    10-PowerSO
  • Serie
    STripFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    210W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    160A (Tc)
STV250N55F3

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STV0684

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STV270N4F3

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STV-684-E02

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STV-974/552S-R02

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STV160NF02LT4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

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STV300NH02L

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STV-676/501C-R01

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STV160NF03LT4

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STV200N55F3

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STV-676/502S-R01

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STV08

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