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STW10NK80Z-Bild.

STMicroelectronics

STW10NK80Z

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Spezifikation

Artikelnummer

STW10NK80Z
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STW10NK80Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

497-3254-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

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