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STW28N65M2-Bild.

STMicroelectronics

STW28N65M2

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Spezifikation

Artikelnummer

STW28N65M2
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STW28N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

170W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

497-15575-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 30A TO-247

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 29A TO-247

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