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6384068VND10BSPTR-E-Bild.STMicroelectronics

VND10BSPTR-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    VND10BSPTR-E
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    VND10BSPTR-E.pdf
  • Spannung - Versorgung (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Spannung - Last
    6 V ~ 26 V
  • Schaltertyp
    General Purpose
  • Supplier Device-Gehäuse
    10-PowerSO
  • Serie
    -
  • Rds On (Typ)
    100 mOhm (Max)
  • Verhältnis - Eingang: Ausgang
    1:1
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • Ausgabetyp
    N-Channel
  • Ausgangskonfiguration
    High Side
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Anzahl der Ausgänge
    2
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Schnittstelle
    On/Off
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • Eigenschaften
    Status Flag
  • Fehlerschutz
    Open Load Detect, Over Temperature
  • Strom - Ausgabe (max)
    3.4A
  • Basisteilenummer
    VND10B

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "VND10BSPTR-E" -Einziper.
VND10N06TR-E

VND10N06TR-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10BSP13TR

VND10BSP13TR

Beschreibung: IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B

VND10B

Beschreibung: IC SSR HISIDE 2CH PENTAWATT VERT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND14NV04-1-E

VND14NV04-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 40V 12A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10N06-1

VND10N06-1

Beschreibung: MOSFET POWER 60V 10A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND14NV04-1

VND14NV04-1

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 12A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B(011Y)

VND10B(011Y)

Beschreibung: IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10BSP

VND10BSP

Beschreibung: IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10N06-1-E

VND10N06-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B-12-E

VND10B-12-E

Beschreibung: IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10N06

VND10N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10N06-E

VND10N06-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10BSP-E

VND10BSP-E

Beschreibung: IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B-E

VND10B-E

Beschreibung: IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT VRT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND05BSPTR-E

VND05BSPTR-E

Beschreibung: IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND14NV04-E

VND14NV04-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B-11-E

VND10B-11-E

Beschreibung: IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND14NV04

VND14NV04

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10B(012Y)

VND10B(012Y)

Beschreibung: IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND10N0613TR

VND10N0613TR

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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