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3294365RF064PJ913CS-Bild.Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

RF064PJ913CS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RF064PJ913CS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • Toleranz
    ±5%
  • Temperaturkoeffizient
    ±200ppm/°C
  • Supplier Device-Gehäuse
    0603
  • Größe / Dimension
    0.055" L x 0.024" W (1.40mm x 0.60mm)
  • Serie
    RF
  • Widerstand-Verhältnis-Drift
    -
  • Widerstands-Matching-Verhältnis
    -
  • Widerstand (Ohm)
    91k
  • Leistung pro Element
    31.25mW
  • Verpackung / Gehäuse
    0502 (1406 Metric), Long Side Terminals
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C
  • Anzahl der Widerstände
    4
  • Anzahl der Pins
    8
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Höhe - eingesteckt (max)
    0.013" (0.33mm)
  • detaillierte Beschreibung
    91k Ohm ±5% 31.25mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 0502 (1406 Metric), Long Side Terminals
  • Schaltungstyp
    Isolated
  • Anwendungen
    -
RF064PJ823CS

RF064PJ823CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RF081MM2STR

RF081MM2STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF064PJ910CS

RF064PJ910CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RF081L2STE25

RF081L2STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF081LAM2STR

RF081LAM2STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF071L4STE25

RF071L4STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF071LAM4STR

RF071LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF073M2STR

RF073M2STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF064PJ912CS

RF064PJ912CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RF064PJ824CS

RF064PJ824CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF081M2STR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ820CS

RF064PJ820CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ911CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ753CS

RF064PJ753CS

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Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ914CS

RF064PJ914CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071MM2STR

RF071MM2STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ822CS

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Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ754CS

RF064PJ754CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ821CS

RF064PJ821CS

Beschreibung: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071M2STR

RF071M2STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

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