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EH 1V0

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EH 1V0
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 600MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.EH 1V0.pdf
    2.EH 1V0.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 600mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    EH 1V0 DK
    EH 1V0-ND
    EH1V0
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 600mA Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    600mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "EH 1V0" -Einziper.
1N6546

1N6546

Beschreibung: DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CMF02(TE12L,Q,M)

CMF02(TE12L,Q,M)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MMBD914LT1HTSA1

MMBD914LT1HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SMBSR1010

SMBSR1010

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
UH2BHE3_A/I

UH2BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
2A01GHA0G

2A01GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-50PF40

VS-50PF40

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
A197RB

A197RB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
EH 1

EH 1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
C4D02120E-TR

C4D02120E-TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
SS13 M2G

SS13 M2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SK14-13

SK14-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
EH 1V

EH 1V

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
S1B-E3/61T

S1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SRA10150HC0G

SRA10150HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4044R

1N4044R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 275A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
1N5827

1N5827

Beschreibung: 5A SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
EH 1V1

EH 1V1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 600MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RS3B-13-F

RS3B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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