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EN 01Z

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EN 01Z
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.EN 01Z.pdf
    2.EN 01Z.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    100ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    EN 01Z DK
    EN 01Z-ND
    EN01Z
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1.5A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Zahlung
Das Folgende sind "EN 01Z" -Einziper.
GKN71/12

GKN71/12

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
HSM825G/TR13

HSM825G/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S2160

S2160

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RGP02-18E-E3/54

RGP02-18E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 500MA DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EN 01ZV0

EN 01ZV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES1J R3G

ES1J R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
EN 01ZV

EN 01ZV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
EGP30B-E3/54

EGP30B-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EGP10DE-E3/54

EGP10DE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1DL MHG

S1DL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MMBD4148

MMBD4148

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HT18G R0G

HT18G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FR85DR02

FR85DR02

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1KLHRFG

RS1KLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GI816-E3/54

GI816-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EN 01ZW

EN 01ZW

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
EN 01ZV1

EN 01ZV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FR16MR05

FR16MR05

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 16A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5420

JANTXV1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BAS20-E3-18

BAS20-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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