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ES 1Z

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES 1Z
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.ES 1Z.pdf
    2.ES 1Z.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.5V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    ES 1Z DK
    ES 1Z-ND
    ES1Z
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 700mA Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    700mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "ES 1Z" -Einziper.
UG12J C0G

UG12J C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES 1F

ES 1F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES 1FV0

ES 1FV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES 1V

ES 1V

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES 1FV

ES 1FV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
1SS196(TE85L,F)

1SS196(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
BAQ335-TR

BAQ335-TR

Beschreibung: DIODE GP 125V 200MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES 1ZV

ES 1ZV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES 1

ES 1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RB531ES-30T15R

RB531ES-30T15R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMD0603

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6304

1N6304

Beschreibung: RECTIFIER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
ES 1FV1

ES 1FV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
MSE1PJHM3/89A

MSE1PJHM3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYV26D-TAP

BYV26D-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES 1ZV0

ES 1ZV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
ES 1V1

ES 1V1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FES10D

FES10D

Beschreibung: 10A 200V ULTRA FAST RECTIFIER

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES 1V0

ES 1V0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
HS3MB M4G

HS3MB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES 1ZV1

ES 1ZV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
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