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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > FMY-1036S
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6217783FMY-1036S-Bild.Sanken Electric Co., Ltd.

FMY-1036S

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FMY-1036S
  • Hersteller / Marke
    Sanken Electric Co., Ltd.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A TO220F-2L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei durch Freistellung / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FMY-1036S.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F-2L
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Andere Namen
    FMY-1036S DK
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole TO-220F-2L
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "FMY-1036S" -Einziper.
VS-8EWF06S-M3

VS-8EWF06S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FMY-1106S

FMY-1106S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
UG1004-T

UG1004-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SS25LHMQG

SS25LHMQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAQ133-GS08

BAQ133-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5B-E3/57T

S5B-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-60APF02PBF

VS-60APF02PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FMY1AT148

FMY1AT148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FMY6T148

FMY6T148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UF5407-E3/54

UF5407-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RGP10BHM3/54

RGP10BHM3/54

Beschreibung: DIODE SW 1A 100V 150NS DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
FMY5T148

FMY5T148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

Beschreibung: 1200V 20A AUTO SIC SBD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FMY4AT148

FMY4AT148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RB168VYM150FHTR

RB168VYM150FHTR

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
S3DB

S3DB

Beschreibung: DIODE GP 200V 3A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSR10F20NXT5G

NSR10F20NXT5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RB521AS-30T2R

RB521AS-30T2R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA VML2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK33BHR5G

SK33BHR5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-50WQ03FNTRR-M3

VS-50WQ03FNTRR-M3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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