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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RA 13V
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4090042

RA 13V

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RA 13V
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    360mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    RA 13V DK
    RA 13V-ND
    RA13V
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 30V 2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    3mA @ 30V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
VB20100SG-E3/4W

VB20100SG-E3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DL4003-13

DL4003-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A MELF

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
JANTX1N5551

JANTX1N5551

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SB340F055

SB340F055

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SFS1607GHMNG

SFS1607GHMNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006 TR

1N4006 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
VS-8ETX06STRR-M3

VS-8ETX06STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RA203220XX

RA203220XX

Beschreibung: DIODE MODULE 3.2KV 2000A PWRDISC

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
FESF8GT-E3/45

FESF8GT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
HER103-T

HER103-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SD253N04S15PV

SD253N04S15PV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RA 13V1

RA 13V1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
1N4051

1N4051

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 275A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RA 13

RA 13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
D770N16TXPSA1

D770N16TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 770A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
STTH5L06

STTH5L06

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
MMBD914

MMBD914

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SCHS2500

SCHS2500

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1T1G A1G

1T1G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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