1N6160

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Spezifikation

Artikelnummer

1N6160
Hersteller / Marke

Semtech
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TVS DIODE 42.6V 80.7V AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

1N6160.pdf
Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)

42.6V (Max)
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp

80.7V
Spannung - Aufteilung (min.)

50.4V
Art

Zener
Supplier Device-Gehäuse

Axial
Serie

-
Stromleitungsschutz

No
Power - Peak Pulse

1500W (1.5kW)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Axial
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)

18.6A
Kapazität @ Frequenz

-
Bidirektionale Kanäle

1
Anwendungen

General Purpose

Das Folgende sind "1N6160" -Einziper.

1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

Hersteller: Microsemi

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1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V

Hersteller: Semtech

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1N6161

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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1N6159US

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 73.5V

Hersteller: Semtech

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1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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1N6159

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 73.5V AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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1N6160US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 80.7V

Hersteller: Semtech

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1N6159A

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V AXIAL

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 89.3V AXIAL

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 67.7V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi

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1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V AXIAL

Hersteller: Semtech

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